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晶体管
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STGD3NB60SDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp
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数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥7.0851
3542.55
2,500
¥4.8025
12006.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
6 A
Pd-功率耗散
48 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3NB60SD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
3 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STGD3NB60SDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM190N08CZ C0G
Taiwan Semiconductor
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4,000:¥12.4526
5,000:¥11.9102
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IFN403
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JFET JFET N-Channel Dual
62:¥115.5651
100:¥106.3443
250:¥96.9766
500:¥90.5921
参考库存:28168
TSM80N950CI C0G
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4,000:¥7.5371
5,000:¥7.2546
10,000:¥7.0964
参考库存:28173
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1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:1914
APTGT400A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,615.4819
参考库存:28180

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