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2SC3646T-TD-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,000
¥1.12209
2244.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.1 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC3646
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
1 A
Pd-功率耗散
1.3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
51.300 mg
商品其它信息
优势价格，2SC3646T-TD-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SB1203T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.8421
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:32227
AGR19030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 930-960MHz 6Watt Gain 16dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:32232
BFU550XRVL
Nexperia
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
参考库存:32237
FDBL86063-F085
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
2,000:¥15.7522
4,000:查看
参考库存:11742
BC847B/SNR
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:32244

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