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晶体管

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QST6TR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR 12V 2A
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5256
35.256
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6611
1661.1
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
360 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
QST6
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 200 mA, 2 V
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
QST6
商品其它信息
优势价格,QST6TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1696
参考库存:10561
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,000:¥2.147
参考库存:5570
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:9037
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.1865
参考库存:190564
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
1:¥2,673.4896
参考库存:4046
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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