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晶体管
DMT10H010SPS-13参考图片

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DMT10H010SPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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库存:18,161(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
113 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
29.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44.8 ns
典型接通延迟时间
18.6 ns
单位重量
97 mg
商品其它信息
优势价格,DMT10H010SPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:7110
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:12127
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥6.9156
10:¥5.9551
100:¥4.5765
500:¥4.0454
5,000:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:53844
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.2206
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.26
2,000:¥1.9097
参考库存:13726
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 30Vgs 450mA 100mW
1:¥2.7685
10:¥2.0566
100:¥1.1865
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.7458
8,000:¥0.69947
参考库存:19753
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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