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晶体管
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STB200NF03T4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
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数量单价合计
1
¥26.668
26.668
10
¥22.6678
226.678
100
¥19.6733
1967.33
250
¥18.6676
4666.9
1,000
¥14.0572
14057.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB200NF03
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
200 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
195 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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