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晶体管
BFN 26 E6327参考图片

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BFN 26 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.695
16.95
100
¥0.72998
72.998
1,000
¥0.56048
560.48
3,000
¥0.42262
1267.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—基极电压 VCBO
300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
500 mA
增益带宽产品fT
70 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BFN26
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
200 mA
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFN26E6327HTSA1 BFN26E6327XT SP000014785
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BFN 26 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IF1322A-TR
InterFET
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JFET N-Ch Matched 30mV Dual Trans Reel/1000
1,000:¥123.3282
参考库存:31389
APTGT75X60T3G
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥541.5638
参考库存:31394
MRFE6VP6300GSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:31399
SI7962DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
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3,000:¥13.1419
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参考库存:31404
2N1479
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥183.4216
250:¥168.5847
500:¥155.2959
参考库存:31409

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