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晶体管
CSD18535KTTT参考图片

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CSD18535KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET SMALL REEL OF KTT PKG
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库存:2,696(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.6679
24.6679
10
¥22.2045
222.045
50
¥22.2045
1110.225
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.063
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18535KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
263 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18535KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6894
10:¥2.0453
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3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
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MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
参考库存:3954
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.7686
10:¥3.8759
100:¥2.938
500:¥2.4295
1,000:¥1.9436
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晶体管
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1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:3038
晶体管
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1:¥21.8994
10:¥18.2156
100:¥14.0572
500:¥12.2944
3,000:¥9.5259
6,000:查看
参考库存:30510
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    50万现货SKU

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