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晶体管
STL12N10F7参考图片

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STL12N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
13.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
系列
STL12N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.7 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.6 ns
典型接通延迟时间
22.4 ns
商品其它信息
优势价格,STL12N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA143EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:26665
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23512
晶体管
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
500:¥14.5996
参考库存:6669
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:16616
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6896
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5821
2,500:¥3.5821
参考库存:13758
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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