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晶体管
SI2333DDS-T1-GE3参考图片

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SI2333DDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:190,564(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5368
768.4
1,000
¥1.1865
1186.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
23 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2333DDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pch -20V -5.5A Si MOSFET
1:¥4.7686
10:¥3.9437
100:¥2.5425
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:12644
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
参考库存:54956
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
参考库存:6568
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
5,000:¥10.9158
参考库存:33170
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:2927
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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