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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	US-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	120, 120
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN4990
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	120
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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