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晶体管
STB270N4F3参考图片

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STB270N4F3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 40V Pwr Mosfet
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数量单价合计
1
¥35.1882
35.1882
10
¥29.8885
298.885
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.5888
6147.2
1,000
¥18.5998
18599.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB270N4F3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB270N4F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥109.8812
250:¥100.1971
500:¥93.7448
1,000:¥85.9817
参考库存:35021
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥995.078
参考库存:35026
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
100:¥362.6848
250:¥338.4802
参考库存:35031
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥360.922
5:¥341.3956
10:¥337.5536
25:¥312.1964
参考库存:35036
晶体管
MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
3,000:¥5.0624
9,000:查看
参考库存:20636
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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