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晶体管
IPD042P03L3GATMA1参考图片

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IPD042P03L3GATMA1

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库存:43,510(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.2207
3610.35
2,500
¥5.0511
12627.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
131 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
167 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
G IPD042P03L3 SP001127836
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD042P03L3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:7110
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
1:¥28.0466
10:¥23.8204
100:¥20.6677
250:¥19.5942
参考库存:12127
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥6.9156
10:¥5.9551
100:¥4.5765
500:¥4.0454
5,000:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:53844
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.2206
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.26
2,000:¥1.9097
参考库存:13726
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 30Vgs 450mA 100mW
1:¥2.7685
10:¥2.0566
100:¥1.1865
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.7458
8,000:¥0.69947
参考库存:19753
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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