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晶体管
IGW60N60H3参考图片

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IGW60N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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数量单价合计
1
¥51.7879
51.7879
10
¥46.7933
467.933
25
¥44.5672
1114.18
100
¥38.7251
3872.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60N60H3FKSA1 IGW6N6H3XK SP000925524
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW60N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥20.6677
10:¥17.5941
100:¥15.2098
250:¥14.4414
500:¥12.9837
5,000:¥12.9837
参考库存:3793
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
参考库存:5745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:33302
晶体管
MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:19544
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:23441
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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