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晶体管
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FQP16N25

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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1416
3570.8
1,000
¥5.9212
5921.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP16N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
140 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
FQP16N25_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP16N25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3028LFDE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A
10,000:¥1.07576
参考库存:1756200
DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4409
500:¥3.9211
1,000:¥3.0962
2,500:¥3.0962
参考库存:33164
AFT09S282NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2
250:¥905.4803
参考库存:33169
SP000925524
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
240:¥38.7251
480:¥36.9623
720:¥33.7305
1,200:¥29.3574
参考库存:33174
DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.7631
10:¥6.5879
100:¥5.0511
500:¥4.4748
1,000:¥3.5256
2,500:¥3.5256
参考库存:33179

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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