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晶体管
NGTB60N60SWG参考图片

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NGTB60N60SWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/60A IGBT LPT TO-247
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库存:3,337(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.7934
48.7934
10
¥41.4936
414.936
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.1147
8528.675
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
120 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB60N60SWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:166418
晶体管
达林顿晶体管 Hi V & A Darlington
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
参考库存:13415
晶体管
MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
1:¥26.5098
10:¥22.5096
100:¥19.5151
250:¥18.5207
参考库存:5452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Xsistr
1:¥1.695
10:¥1.1526
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:79704
晶体管
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.6838
10:¥2.0566
100:¥1.09158
500:¥0.91417
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:235621
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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