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晶体管
STU6N62K3参考图片

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STU6N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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库存：34,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1416
3570.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.28 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STU6N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU6N62K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SD1760TLP
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR NPN 50V 3A
1:¥7.0738
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
2,500:¥2.5425
参考库存:28161
2N6191
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥93.4397
250:¥85.2133
500:¥79.6876
1,000:¥73.0771
参考库存:28166
RJH60D6DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT, TO-3P
1:¥39.1093
10:¥34.8831
25:¥31.4253
50:¥29.9676
参考库存:28171
DRA2143E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:28176
2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥299.0658
5:¥285.6188
10:¥276.7031
25:¥254.2613
参考库存:28181

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    50万现货SKU

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