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APT40GL120JU2

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库存：4,830(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥276.3189
276.3189
5
¥265.5613
1327.8065
10
¥255.5721
2555.721
25
¥234.8253
5870.6325
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
220 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT40GL120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2946AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥183.2634
200:¥168.1214
500:¥160.0532
参考库存:31184
JAN2N2919L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥282.161
250:¥263.3352
参考库存:31189
STE40NC60
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 Volt 40 Amp
1:¥272.4769
5:¥269.6293
10:¥251.2668
25:¥240.0459
参考库存:2524
TPC8052-H(TE12L,Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-CH MOS 40V 12A
暂无价格
参考库存:31196
RJK1003DPN-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1,000:¥10.7576
2,500:¥10.2152
参考库存:31201

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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