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晶体管
DRA2114T0L参考图片

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DRA2114T0L

  • Panasonic
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
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数量单价合计
3,000
¥0.47686
1430.58
9,000
¥0.42262
3803.58
24,000
¥0.40002
9600.48
45,000
¥0.34578
15560.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Mini3-G3-B
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
最大工作温度
+ 150 C
封装
Reel
商标
Panasonic
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，DRA2114T0L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
参考库存:2307
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.311
3,000:¥5.311
参考库存:7709
IRL2910STRRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
500:¥13.447
800:¥13.447
参考库存:6566
STP33N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥28.5099
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
参考库存:2498
STD19N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:13125

  • 海量现货

    50万现货SKU

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