MUN5113DW1T1G详细信息_MUN5113DW1T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363(PB-Free)-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	256 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5113DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2SC5661T2LP	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 50MA	1:¥3.3787 10:¥2.7459 100:¥1.6724 1,000:¥1.2995 8,000:¥1.02943 24,000:查看	参考库存:20234
UM6J1NTN	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 0.2A 6PIN	1:¥4.0002 10:¥3.0171 100:¥1.6272 1,000:¥1.2204 3,000:¥1.05316	参考库存:208686
FCX491TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power	1:¥3.4578 10:¥2.9154 100:¥1.7854 1,000:¥1.3786 2,000:¥1.1752	参考库存:59773
SI8489EDB-T2-E1	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1	1:¥3.6838 10:¥2.8476 100:¥2.1131 500:¥1.7402 1,000:¥1.3447 3,000:¥1.3447	参考库存:67805
STGW25M120DF3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss	1:¥65.7773 10:¥59.4719 25:¥56.7034 100:¥49.1776	参考库存:7052