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晶体管
TSM60N750CH参考图片

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TSM60N750CH

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
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数量单价合计
5,625
¥4.8138
27077.625
11,250
¥4.7121
53011.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
530 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
17.3 ns
零件号别名
C5G TSM60N750CH
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TSM60N750CH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RRF015P03TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A
1:¥2.7685
10:¥2.1018
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
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DCX115EK-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 DUAL COMPLEMENTARY
1:¥3.616
10:¥2.7233
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3,000:¥0.95259
参考库存:24121
QS5U28TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
3,000:¥1.7289
参考库存:15278
BC848CLT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.92208
10:¥0.88366
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.15368
参考库存:130810
DMP2240UDM-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Dual P-Channel
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:105212

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