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晶体管
SIHH11N65E-T1-GE3参考图片

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SIHH11N65E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存：31,771(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥16.0573
48171.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
316 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1 mm
长度
8 mm
系列
E
宽度
8 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，SIHH11N65E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD310700SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:30905
JAN2N930/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥81.2244
250:¥74.0715
500:¥69.3142
1,000:¥63.5512
参考库存:30910
JANTXV2N5665
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥428.3039
5:¥405.1728
10:¥400.5624
25:¥370.4479
参考库存:30915
2N918UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥166.9688
200:¥153.2167
500:¥145.8378
参考库存:30920
1517-20M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
50:¥1,727.4423
参考库存:30925

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