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晶体管
STGW25M120DF3参考图片

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STGW25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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库存:7,052(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.7773
65.7773
10
¥59.4719
594.719
25
¥56.7034
1417.585
100
¥49.1776
4917.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A
5,000:¥3.7516
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:35532
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.006
2,500:¥5.4014
5,000:查看
参考库存:35537
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:35542
晶体管
MOSFET NX6020CAKS/SOT363/SC-88
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
参考库存:35547
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥7.6049
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.1132
800:¥3.2431
参考库存:35552
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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