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晶体管
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STGW25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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数量单价合计
1
¥65.7773
65.7773
10
¥59.4719
594.719
25
¥56.7034
1417.585
100
¥49.1776
4917.76
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA126N10N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
参考库存:27583
PBSS5350Z,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:25155
AUIRFN8403TR
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Automotive HEXFET COOLiRFET
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥9.1417
1,000:¥7.5258
4,000:¥7.5258
参考库存:14952
TK6A65W,S5X
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥13.447
10:¥10.7576
100:¥8.2942
500:¥7.2885
参考库存:2904
CMRDM7590 TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 125mW 0.5mm
1:¥3.9211
10:¥3.2996
100:¥2.0792
1,000:¥1.5594
8,000:¥1.2317
24,000:查看
参考库存:41226

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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