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晶体管
SQ1539EH-T1_GE3参考图片

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SQ1539EH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.5933
796.65
3,000
¥1.12209
3366.27
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
850 mA
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms, 788 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC, 1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.1 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.2 S, 0.6 S
下降时间
32 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 39 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 4 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，SQ1539EH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSR17A
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.0792
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.32318
参考库存:85311
BUK7K5R6-30E,115
Nexperia
晶体管
MOSFET Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
1,500:¥4.4974
参考库存:10678
APT30GS60BRDQ2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
1:¥62.0144
10:¥55.7881
25:¥50.8726
100:¥45.878
参考库存:3810
DMP2130LDM-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:16657
NVD4806NT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:6559

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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