DTA123YU3HZGT106详细信息_DTA123YU3HZGT106相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	4.5
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFR220NTRRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC	1:¥6.3732 10:¥5.2997 100:¥3.4239 1,000:¥2.7346 3,000:¥2.7346	参考库存:15740
STB85NF55T4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp	1:¥25.5832 10:¥21.7412 100:¥18.8258 250:¥17.8992 1,000:¥13.5261 2,000:查看	参考库存:4737
SQD40P10-40L_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified	1:¥21.5152 10:¥17.8992 100:¥13.8312 500:¥12.1362 2,000:¥9.379 4,000:查看	参考库存:29064
IPT007N06N	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS	1:¥48.1832 10:¥40.9512 100:¥35.5046 250:¥33.6514 2,000:¥24.2046	参考库存:22246
IPT059N15N3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥51.3246 10:¥46.4091 25:¥44.2621 100:¥38.42 2,000:¥28.0466	参考库存:41908