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晶体管
STP13N65M2参考图片

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STP13N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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库存:47,875(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.684
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP13N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP13N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN+NPN SOT-563 .15A 120 tohFE 50V
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
2,500:¥0.41471
8,000:¥0.35369
参考库存:77074
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SS Trans -100mA 45Vceo 0.435W 175mV
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,500:¥1.03734
10,000:¥1.03734
参考库存:331731
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:2058
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3449
500:¥4.7234
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:44450
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MSFT, CSD18533Q5
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6444
500:¥5.876
2,500:¥4.1132
10,000:查看
参考库存:85317
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