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晶体管
NSVMMBT2222AM3T5G参考图片

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NSVMMBT2222AM3T5G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT-723 GP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
8,000
¥0.37629
3010.32
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
75 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
600 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT2222AM3
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
600 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
265 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，NSVMMBT2222AM3T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003AINE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:45785
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A
800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:45790
JANTX2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:2868
BSM50GB120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
1:¥556.864
5:¥546.5584
10:¥532.5012
25:¥521.9696
参考库存:2580
CGH60030D-GP4
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2667

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    50万现货SKU

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