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晶体管
PTFB210801FA-V1-R250参考图片

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PTFB210801FA-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥383.6576
95914.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB210801FA-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SCR543DTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 4A
1:¥6.5314
10:¥5.6161
100:¥4.3166
500:¥3.8081
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:16077
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥9,823.4516
5:¥9,666.3929
参考库存:5089
SIZ340DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥4.52
500:¥3.8872
3,000:¥2.8702
6,000:查看
参考库存:58126
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
3,000:¥1.2769
6,000:查看
参考库存:1187123
BCR 10PN H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:78710

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    50万现货SKU

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