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晶体管
FDT86102LZ参考图片

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FDT86102LZ

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库存:41,075(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
4,000
¥5.0059
20023.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Qg-栅极电荷
17 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
FDT86102LZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
26 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FDT86102LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
800:¥2.7007
2,400:¥2.2939
参考库存:29354
晶体管
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.4521
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:128436
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥5.2545
3,000:¥4.8703
参考库存:18313
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
1:¥241.8878
10:¥223.6835
25:¥214.6096
50:¥205.547
参考库存:2695
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
1:¥12.2153
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.1472
10,000:¥4.7121
参考库存:36837
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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