DDTD114GU-7-F详细信息_DDTD114GU-7-F相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	0 kOhms
典型电阻器比率	0
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTD114
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RJK1053DPB-00#J5	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PowerMOSFET	暂无价格	参考库存:33411
TSM2301BCX	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V P channel MOSFET	1:¥4.0002 10:¥3.1527 100:¥2.1696 500:¥1.4803 3,000:¥0.99101 9,000:查看	参考库存:33416
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PTVA123501EC-V2-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥3,941.1236	参考库存:33426
IAUC100N10S5L040ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET	5,000:¥7.345 10,000:¥7.0625	参考库存:33431