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晶体管
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FCA20N60F

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库存：3,967(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.6569
30.6569
10
¥26.0465
260.465
100
¥22.5887
2258.87
250
¥21.4361
5359.025
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET FRFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FCA20N60F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
140 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
230 ns
典型接通延迟时间
62 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FCA20N60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF600R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 900A
1:¥5,321.4751
5:¥5,236.42
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PUMD3,125
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双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
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IPB180P04P4L02ATMA1
Infineon Technologies
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MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.594
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:13047
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
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MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3
1:¥27.9675
10:¥23.8204
100:¥20.5886
250:¥19.5151
参考库存:5549
IHW40N135R3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥44.3412
10:¥37.6516
100:¥32.657
250:¥30.962
500:¥27.8206
参考库存:5386

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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