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晶体管
DMC3032LSD-13参考图片

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DMC3032LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET
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库存：22,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
2,500
¥1.11418
2785.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
8.1 A, 7 A
Rds On-漏源导通电阻
32 Ohms, 39 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.2 nC, 21.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMC3032
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.84 ns, 22.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.18 ns, 6.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.92 ns, 50.1 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns, 10.1 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK6P65W,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
2,000:¥3.7629
10,000:¥3.616
24,000:¥3.503
参考库存:32776
PRMD3Z
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMD3/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:32781
CMPT4033 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
12,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.48364
参考库存:2810824
BCP5210TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
10,000:¥0.5989
25,000:¥0.56048
参考库存:295826
STF26N65DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥23.3571
10:¥19.8202
100:¥17.2099
250:¥16.2946
参考库存:6328

  • 海量现货

    50万现货SKU

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