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晶体管
NGTG50N60FWG参考图片

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NGTG50N60FWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/50A IGBT NPT TO-247
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库存:2,556(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.6461
40.6461
10
¥34.578
345.78
100
¥29.9676
2996.76
250
¥28.4308
7107.7
500
¥25.5154
12757.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
223 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NGTG50N60FWG
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,NGTG50N60FWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
1:¥7.7631
10:¥6.5879
100:¥5.0624
500:¥4.4748
1,500:¥3.1301
9,000:查看
参考库存:10306
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥38.0358
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.5889
2,000:¥19.1309
4,000:查看
参考库存:13768
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,000:¥2.2148
参考库存:19535
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥16.9048
10:¥14.0572
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:7112
晶体管
MOSFET
1:¥38.1149
10:¥32.3519
100:¥28.0466
250:¥26.668
参考库存:11144
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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