TSM110NB04CR RLG详细信息_TSM110NB04CR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	54 A
Rds On-漏源导通电阻	11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	23 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	68 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	37 S
下降时间	12 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	20 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	3.2 ns

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBTA06Q-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V	1:¥2.0792 10:¥1.4577 100:¥0.60681 1,000:¥0.41471 3,000:¥0.32318	参考库存:96312
BSC028N06NSATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥15.9104 10:¥13.5261 100:¥10.8367 500:¥9.4468 5,000:¥7.0512	参考库存:136549
PDTC143XU,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:9606
IKW50N65EH5XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e	1:¥42.8044 10:¥36.3408 100:¥31.5044 250:¥29.8885 500:¥26.8149	参考库存:4243
IPP040N06NAKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3	1:¥13.5261 10:¥11.526 100:¥9.2208 500:¥8.0682	参考库存:5490