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晶体管
SIHP15N50E-GE3参考图片

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SIHP15N50E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:7,112(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9048
16.9048
10
¥14.0572
140.572
100
¥10.9158
1091.58
500
¥9.5259
4762.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14.5 A
Rds On-漏源导通电阻
243 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP15N50E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:41377
晶体管
MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
800:¥7.91
参考库存:6584
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:4956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0001
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:3958
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
1:¥12.5995
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,000:¥4.7912
10,000:查看
参考库存:12065
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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