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晶体管
UF3C065040K4S参考图片

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UF3C065040K4S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V 42m? SiC Cascode Fast
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数量单价合计
1
¥274.6239
274.6239
5
¥262.2504
1311.252
10
¥254.1144
2541.144
25
¥233.5145
5837.8625
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
54 A
Rds On-漏源导通电阻
52 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
326 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UF3C
晶体管类型
1 N-Channel
商标
UnitedSiC
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，UF3C065040K4S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:37836
DMNH4015SSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
2,500:¥2.9493
参考库存:38288
DMN6068LK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:38293
DDA114YK-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 300MW 10KW 47KW
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:38298
DMT6007LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
3,000:¥3.4126
参考库存:38303

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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