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晶体管
BSZ035N03MS G参考图片

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BSZ035N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:111,310(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7461
67.461
100
¥5.1867
518.67
500
¥4.5765
2288.25
5,000
¥3.2092
16046
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
94 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ35N3MSGXT SP000311511
商品其它信息
优势价格,BSZ035N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 10KOhm / 47KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:30537
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 425 V 4 A
1:¥5.989
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.0792
参考库存:30542
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:45977
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.1416
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
800:¥3.2431
参考库存:29979
晶体管
MOSFET PSMN012-100YL/LFPAK/REEL 7" Q1
1,500:¥3.1753
9,000:¥3.051
24,000:¥2.9606
参考库存:30551
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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