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晶体管
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STGP7H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
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库存：5,988(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.1981
3599.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP7H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
4.6 mm
长度
15.85 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP7H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF320N06L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:11233
TN2106N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 2.5Ohm
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥2.9267
参考库存:21225
FQA8N100C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:28267
SSM2212RZ
Analog Devices
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
参考库存:3134
SI2336DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.3108
参考库存:134471

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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