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晶体管
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NVD4C05NT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
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库存：25,668(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
2,500
¥2.5538
6384.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
98 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
107 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，NVD4C05NT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT6005LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.5708
参考库存:19764
NGTB05N60R2DT4G
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 5A 600V DPAK
1:¥7.458
10:¥6.3167
100:¥4.859
500:¥4.2827
1,000:¥3.39
2,500:¥3.39
参考库存:12626
IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥53.4829
10:¥48.3301
25:¥46.104
100:¥40.0359
1,000:¥30.3518
2,000:查看
参考库存:11483
ULN2004AD16-U
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 HV DarArray 6, 15V 7Drivers 500mA 250ns
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
参考库存:23290
AUIRFSA8409-7P
Infineon / IR
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30 / 40
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
参考库存:18567

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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