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晶体管
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PRMH9Z

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
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数量单价合计
5,000
¥0.35369
1768.45
10,000
¥0.30736
3073.6
25,000
¥0.28476
7119
50,000
¥0.26894
13447
100,000
¥0.23052
23052
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1412-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
100 mV
增益带宽产品fT
230 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
480 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,PRMH9Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥175.2743
250:¥160.8216
500:¥153.0698
参考库存:33426
晶体管
MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
暂无价格
参考库存:33431
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
122:¥113.565
250:¥103.508
500:¥96.8975
1,000:¥88.8293
参考库存:33436
晶体管
MOSFET 30V 48Amp 8,5mohm N channel Mosfet
1:¥5.2206
10:¥4.4522
100:¥3.3222
500:¥2.4408
5,000:¥1.5594
10,000:查看
参考库存:33441
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
参考库存:9271
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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