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晶体管
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IRGP4640D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥41.4145
414.145
25
¥39.4935
987.3375
100
¥34.2729
3427.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001546168
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRGP4640D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPN50R950CEATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.9211
10:¥3.2657
100:¥1.9888
1,000:¥1.5368
3,000:¥1.3108
参考库存:3079
IRG4BC40KPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT
1:¥29.8094
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.8259
参考库存:17931
STBV32-AP
STMicroelectronics
晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:62343
CXDM4060N TR
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET 40Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 6.0A 1.2W
1:¥6.3732
10:¥5.1641
100:¥4.3053
500:¥3.3222
1,000:¥2.9945
参考库存:9955
300S14-U
THAT
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4 NPN Matched Trans. Array SO-14
1:¥48.251
25:¥40.4992
100:¥36.6572
250:¥35.6515
参考库存:4322

  • 海量现货

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