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晶体管
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IRGP4640D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥41.4145
414.145
25
¥39.4935
987.3375
100
¥34.2729
3427.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001546168
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRGP4640D-EPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
1:¥10.1474
10:¥8.1473
100:¥6.3054
500:¥5.537
2,000:¥3.9211
10,000:查看
参考库存:11022
MJW3281AG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 230V 200W NPN
1:¥23.8204
10:¥20.2044
100:¥17.515
250:¥16.5997
500:¥14.9047
参考库存:10649
TN2404K-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
1:¥7.9891
10:¥7.006
100:¥5.4014
500:¥4.0002
1,000:¥3.1979
3,000:¥2.8137
参考库存:17366
ZX5T949GTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:14173
IRF6216TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
4,000:¥4.7573
参考库存:32330

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    50万现货SKU

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