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晶体管
IRFS3307ZTRRPBF参考图片

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IRFS3307ZTRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC
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库存:20,355(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
800
¥9.5259
7620.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
79 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
320 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001568048
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS3307ZTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
参考库存:34719
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.6051
25:¥9.605
100:¥8.7575
2,000:¥5.65
参考库存:29291
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:29296
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.5255
参考库存:19586
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:29308
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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