BCR 10PN H6327详细信息_BCR 10PN H6327相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	BCR10
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Infineon Technologies
通道数量	2 Channel
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR10PNH6327XTSA1 BCR1PNH6327XT SP000750782
单位重量	7.500 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDD3860	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Channel Power Trench	1:¥8.7575 10:¥7.4241 100:¥5.7065 500:¥5.0398 2,500:¥3.5256 10,000:查看	参考库存:22041
BLF278	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥1,236.9658 10:¥1,191.02 25:¥1,134.5426 50:¥1,121.864	参考库存:4673
MRF455	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB	1:¥347.701 10:¥334.9433	参考库存:4010
PHP191NQ06LT,127	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PHP191NQ06LT/SIL3P/STANDARD MA	1:¥14.5205 10:¥12.2944 100:¥9.831 500:¥8.6106	参考库存:25222
IRFM120ATF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V Single	1:¥4.7686 10:¥4.0115 100:¥2.5877 1,000:¥2.0679 4,000:¥1.7402	参考库存:23429