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晶体管
SQJ260EP-T1_GE3参考图片

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SQJ260EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.6896
668.96
500
¥5.7517
2875.85
1,000
¥4.5313
4531.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A , 54 A
Rds On-漏源导通电阻
15.5 mOhms, 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12 nC, 25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
10 ns , 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns , 26 ns
典型接通延迟时间
10 ns , 14 ns
商品其它信息
优势价格，SQJ260EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFR4292TRL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
3,000:¥5.0172
9,000:查看
参考库存:43303
DTA123EETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:26135
AUIRF1404ZSTRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
1:¥24.1255
10:¥21.7412
100:¥17.4472
250:¥15.6731
500:¥14.8256
800:¥13.9103
参考库存:7462
TPC8134,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC
1:¥5.2997
10:¥4.068
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥1.8419
参考库存:15674
IPW50R140CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥38.4991
10:¥32.7361
100:¥28.3517
250:¥26.894
500:¥24.1255
参考库存:6026

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    50万现货SKU

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