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晶体管
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HGTP12N60C3D

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数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.8259
2082.59
250
¥19.7524
4938.1
500
¥17.6732
8836.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
104 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTP12N60C3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
9.4 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
24 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTP12N60C3D_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:29112

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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