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晶体管

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APTGT300A60G

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数量单价合计
100
¥924.6112
92461.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
1.15 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT300A60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTD114EUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:34811
DMN3021LFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
10,000:¥0.92208
参考库存:34816
SIHG28N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥53.562
10:¥44.409
100:¥36.5781
250:¥35.4255
参考库存:6871
NTMFS4H02NFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET FETKY SO8FL 25V 193A 1.4M
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,500:¥14.8256
4,500:查看
参考库存:34373
IPG20N06S2L50AATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
5,000:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:5625

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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