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晶体管
PMXB360ENEAZ参考图片

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PMXB360ENEAZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 80 V, N-channel Trench MOSFET
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库存:150,893(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
5,000
¥0.77631
3881.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010D-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
1.1 A
Rds On-漏源导通电阻
345 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
3.2 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
优势价格,PMXB360ENEAZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Digital FET P-Ch
1:¥2.7685
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:506128
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:805540
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
800:¥16.5206
参考库存:5222
晶体管
MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.7629
10:¥2.5538
100:¥1.7289
500:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥1.03734
参考库存:223939
晶体管
MOSFET 500V N-Ch MOSFET
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:12281
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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