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晶体管
SQ3585EV-T1_GE3参考图片

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SQ3585EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:140,697(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥23.5153
235.153
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.7467
4686.675
500
¥16.8257
8412.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.57 A, 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
49 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV, 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
2.5 nC, 3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.67 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S, 3 S
下降时间
8 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 29 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 7 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3585EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥910.8591
2:¥882.5865
5:¥882.3492
10:¥853.8506
参考库存:1438
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 1200A 3300V
1:¥12,587.0022
5:¥12,385.7605
参考库存:1340
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥15.142
10:¥13.5261
100:¥10.7576
500:¥9.4468
参考库存:10947
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 100V 12.5W PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:49409
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥27.6624
10:¥22.4418
100:¥20.5208
500:¥17.063
1,000:¥14.5205
参考库存:11186
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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