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晶体管
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MRF1K50N-TF4

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
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¥10,051.0562
10051.0562
5
¥9,943.096
49715.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935345445598
单位重量
1 kg
商品其它信息
优势价格，MRF1K50N-TF4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF730STRLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp
1:¥18.3625
10:¥15.2889
100:¥11.8311
500:¥10.3734
800:¥8.6106
参考库存:8240
BCX56H6327XTSA1
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1:¥3.2996
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DTC143EEBTL
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:28638

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