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晶体管
VP0106N3-G P003参考图片

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VP0106N3-G P003

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
250 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Microchip Technology
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,VP0106N3-G P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥12.9837
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0399
参考库存:6054
晶体管
MOSFET 350V 35Ohm
1:¥4.0002
10:¥3.9776
25:¥3.4013
100:¥3.0849
3,000:¥3.0849
参考库存:445506
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥60.8618
10:¥54.7824
25:¥49.8669
100:¥45.0305
参考库存:3868
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
1:¥1,046.8659
25:¥905.4012
100:¥783.0787
参考库存:3870
晶体管
MOSFET 600V NChannel MOSFET SupreMOS
1:¥47.2566
10:¥42.7253
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:8862
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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