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晶体管
FGH30T65UPDT-F155参考图片

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FGH30T65UPDT-F155

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数量单价合计
1
¥34.9622
34.9622
10
¥29.7416
297.416
100
¥25.7414
2574.14
250
¥24.4306
6107.65
500
¥21.8994
10949.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH30T65UPDT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH30T65UPDT_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH30T65UPDT-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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9,000:¥0.26103
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45,000:¥0.23052
99,000:¥0.20001
参考库存:35279
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IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
240:¥32.657
480:¥30.962
720:¥27.8206
1,200:¥23.4362
参考库存:35284
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10,000:¥0.52206
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1,000:¥7.6049
2,000:¥7.0738
5,000:¥6.8139
10,000:¥6.554
参考库存:35299
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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